[15a-B401-1~7] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15a-B401-5] Growth of GaInN besed photovoltaic cells on Free-Standing GaN substrate

〇Takahiro Fujisawa¹, Takashi Egawa¹, Makoto Miyoshi¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:MOCVD, GaInN-MQW

当研究室では、光無線給電システムへの適用を目的にGa_0.9In_0.1N/GaN MQW を光吸収層とするGaInN系受光素子をc面サファイア基板上に試作し、その結果、波長389nmの単色光を入射したときのパワー変換効率として42.7%という高い値を報告している。変換効率をさらに向上するには受光素子のダイオード特性を改善する必要がある。本研究ではGaInN系受光素子を成長する下地基板をサファイアから自立GaN基板にすることで結晶品質とダイオード特性の改善を試みたので報告する。