[15a-B401-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-B401-4] 立方晶 InN ナノワイヤの配向性制御に向けた下地 GaN 層の厚膜化

〇芦部 蓮¹、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：窒化物半導体、窒化ガリウム、配向制御

我々はこれまで立方晶（c-）GaN表面に形成したV溝構造を利用して、面内方向に立方晶（c-）InN ナノワイヤの自己組織化成長ができることを示した。c-InN ナノワイヤのアスペクト比や配向性は下地GaN層の表面形状を反映するため、その制御が重要となる。今回、GaN層の厚膜化で表面V溝構造の配向性が増加することが分かったので、発光特性と合わせて報告する。