[15a-B401-1~7] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [15a-B401-7] Investigation of fabrication conditions toward broadband emission from InGaN-based microlens structures on a semipolar plane

〇Shogo Fukushige¹, Yoshinobu Matsuda¹, Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:InGaN, semipolar

最近我々は，傾斜角が連続的に変化するGaNマイクロレンズ構造上に形成したInGaN発光層が，In組成分布によって多波長発光特性を示すことを報告した．さらに，この構造を半極性(-1-12-2)面上に作製したが，その波長域は紫色領域にとどまっていた．本研究では，(-1-12-2)面InGaN系マイクロレンズ構造の長波長化と広帯域化を目的に，レンズ形状と結晶成長条件を検討したので報告する．