[15a-B508-1~9] 12.2 評価・基礎物性

△ [15a-B508-9] オペランド光電子顕微鏡観測による有機アンチ・アンバイポーラトランジスタのキャリア伝導評価

〇(M1)清水 好葉^1,2、竹入 聡一郎^1,2、早川 竜馬¹、山田 洋一²、若山 裕¹、福本 恵紀³ (1.物材機構、2.筑波大数理、3.高エネ研)

キーワード：有機アンチ・アンバイポーラトランジスタ、オペランド光電子顕微鏡、キャリア伝導機構

アンチ・アンバイポーラトランジスタ(AAT)は、室温で負性抵抗と類似した伝導特性を示すため近年注目を集めている。我々は、機械的な柔軟性と分子設計によるエネルギー準位の高い制御性を持つ有機半導体を用いたAAT を提案し、その伝導機構について評価してきた。これまで光電子顕微鏡（PEEM）を用いたオペランド計測から有機AAT内を流れる電子を可視化し、その詳細な伝導機構について評価してきた。本研究では、さらに高移動度半導体であるC8-BTBTをp型半導体層として用いることで、電子だけでなく正孔の伝導機構についてもPEEM計測から明らかにしたので報告する。