[15a-D209-1~5] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[15a-D209-4] 化学増幅系レジストを対象とした電子線リソグラフィの確率論法-分子動力学法ハイブリットシミュレーション

〇中村 大紀¹、山田 絵斗¹、井上 文太¹、安田 雅昭¹ (1.阪公大院工)

キーワード：電子線リソグラフィ、化学増幅系レジスト、シミュレーション

ネガ型化学増幅系レジストの電子線リソグラフィを対象に確率論手法と分子動力学法を組み合わせたハイブリッドシミュレーションを開発した。線幅2nmのラインパターンを対象に各PEBステップにおけるレジスト形状をハイブリッドシミュレーションにより再現することが出来た。分子に働く凝集力により不自然なレジスト分子の飛び出しが抑制されたため、ハイブリッドシミュレーションで得られたLERは確率論手法に比べて小さく妥当な値となった。