[15a-D215-1~9] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

[15a-D215-1] Fabrication of Schottky diode formed with solution-processed IGZO and Au electrode

〇Takaaki Morimoto¹, Hiroharu Sasajima¹, Chihiro Tauchi¹, Kouhei Ishikawa¹, Keisuke Ishii¹ (1.The National Defense Academy)

Keywords:IGZO, Schottky diode, Solution-process

これまでの研究で得た、低温焼成した溶液法IGZO-TFTのIGZOとAuドレイン電極間にショットキー接触が形成されるとの知見に基づきダイオードを試作した。TFTのゲートとドレインを導通させた構造はダイオードとして動作したが、大きなバイアス電圧(40 V)が必要となる。有力な解決策はAu、IGZO、Alの順に積層させ縦方向にダイオードを形成することであるが、現時点ではダイオードとしての動作が確認できていない。