[15a-D419-1~9] 15.1 バルク結晶成長

[15a-D419-8] TLZ法による組成均一SiGe結晶育成におけるPの偏析現象

塩原 滉太¹、〇太子 敏則¹、荒井 康智²、木下 恭一³ (1.信州大、2.JAXA、3.明治大)

キーワード：シリコンゲルマニウム、偏析

本研究では、TLZによる均一組成のSiGe結晶育成におけるPの偏析現象について検討した。P添加方法は、Ge原料の上にP添加Si片を配置し、結晶育成開始前にすべてのP原子を溶融帯に導入した。育成した結晶を成長方向に沿って切断し、鏡面研磨後にSi、Ge、Pの組成分析を行った。育成したSi₂₅Ge₇₅結晶中のP濃度は成長が進むにつれて増加する傾向が示されPの偏析係数は1より小さいことが示唆された。