[15a-D511-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-D511-2] 窒素添加CZ-Si結晶育成中のボイド形成に与える酸素の影響

〇佐田 晃¹、野田 祐輔²、末岡 浩治²、梶原 薫³、宝来 正隆³ (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工、3.SUMCO)

キーワード：CZ-Si、ボイド欠陥、窒素添加

Si結晶育成中に添加した窒素（N）は原子空孔（V）の凝集を抑制し，ボイド欠陥のサイズを低下させるが，酸素（O）濃度の上昇に伴い，Nによるボイド抑制効果が弱まることが分かっている．本研究では，Si結晶中のN, V, Oが関与する一連の複合体について第一原理計算を行い，ボイド抑制メカニズムとOの影響を解析した．計算結果からOが周囲の原子の移動を制限することで，形成されるN-V 複合体の安定性が低下することが分かった．