[15a-D511-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[15a-D511-9] Thermal Shrinkage Behavior of Extended Defects Formed in Silicon Hydride and Hydrocarbon Hybrid-Molecular-Ion-Implanted Silicon Epitaxial Wafer

〇Akihiro Suzuki¹, Ryosuke Okuyama¹, Takeshi Kadono¹, Koji Kobayashi¹, Ryo Hirose¹, Ayumi Masada¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO CORPORATION)

Keywords:Molecular ion, Extended defect

CMOSイメージセンサの性能向上のため、我々はSiH及びCH系分子イオンから成る混合分子イオンを注入したエピタキシャルSiウェーハを開発している。SiH&CH系混合分子イオン注入Siウェーハは、ゲッタリングシンクとなり得る2種類の拡張欠陥（部分転位ループ、完全転位ループ）を有する。今回は、SiH&CH系混合分子イオン注入Siウェーハにおける拡張欠陥の熱処理挙動を加熱TEMその場観察法によって明らかにした結果について報告する。