[15a-D511-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-D511-9] シリコン・炭素系混合分子イオン注入誘起拡張欠陥の熱処理挙動

〇鈴木 陽洋¹、奥山 亮輔¹、門野 武¹、小林 弘治¹、廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：分子イオン、拡張欠陥

CMOSイメージセンサの性能向上のため、我々はSiH及びCH系分子イオンから成る混合分子イオンを注入したエピタキシャルSiウェーハを開発している。SiH&CH系混合分子イオン注入Siウェーハは、ゲッタリングシンクとなり得る2種類の拡張欠陥（部分転位ループ、完全転位ループ）を有する。今回は、SiH&CH系混合分子イオン注入Siウェーハにおける拡張欠陥の熱処理挙動を加熱TEMその場観察法によって明らかにした結果について報告する。