[15a-E102-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15a-E102-3] Effect of Zn supply on sputtering induced crystalline defects in ZnO films

〇Yasuji Yamada¹, Toya Shirasu², Shuhei Funaki¹ (1.Shimane Univ. Soriko, 2.Shimane Univ. Shizen)

Keywords:Transparent conducting oxide, Sputtering, crystalline defects

ZnO薄膜の結晶欠陥を成膜プロセスにより制御する手段として考案したZn供給成膜スパッタリング法を用いて，GZO膜の導電性をターゲットと基板の間隔（T-S間隔）に対して調べた。Zn供給成膜は，T-S間隔の増加に伴い導入されるアクセプター性欠陥を減少させ，粒界散乱の寄与を低減させる効果を有することが分かった。これにより 4 × 10^-4 Ωcmの抵抗率を無加熱成膜で再現よく得られた。