[15a-E402-1~11] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[15a-E402-9] Investigation of Carrier Injection of Cd-free Quantum Dot layer with a Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction Method

〇Keisuke Kitano¹, Seung Hyuk Lee², Takahiro Doe¹, Noboru Iwata¹, Makoto Izumi¹, Yasuhiko Arakawa³, Tetsu Tatsuma² (1.Sharp, 2.Institute of Industrial Science, Univ. of Tokyo, 3.NanoQuine, Univ. of Tokyo)

Keywords:Cd-Free Quantum Dot, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction Method, Photoelectrochemical Measurement

量子ドット（QD）を発光層に用いた量子ドット発光ダイオード（QLED）は、広色域かつ低消費電力のディスプレイとして応用が期待されている。一般にQD表面は有機リガンドで保護されているが、無機キャリア輸送層でQD表面を保護することによりQLEDのキャリア注入効率の向上が期待される。本報告では、交互イオン堆積法によりQD周辺に無機キャリア輸送層を形成した際のキャリア注入特性変化、及びQLEDへ与える影響を評価したので報告する。