[15a-E402-1~11] 12.4 有機EL・トランジスタ

[15a-E402-9] 交互イオン堆積法を用いたCd フリー量子ドットのキャリア注入特性評価

〇北野 圭輔¹、イ スンヒョク²、土江 貴洋¹、岩田 昇¹、和泉 真¹、荒川 泰彦³、立間 徹² (1.シャープ、2.東大生研、3.東大ナノ量子機構)

キーワード：カドミウムフリー量子ドット、イオン堆積法、光電気化学測定

量子ドット（QD）を発光層に用いた量子ドット発光ダイオード（QLED）は、広色域かつ低消費電力のディスプレイとして応用が期待されている。一般にQD表面は有機リガンドで保護されているが、無機キャリア輸送層でQD表面を保護することによりQLEDのキャリア注入効率の向上が期待される。本報告では、交互イオン堆積法によりQD周辺に無機キャリア輸送層を形成した際のキャリア注入特性変化、及びQLEDへ与える影響を評価したので報告する。