[15a-PA01-1~56] 17 ナノカーボン（ポスター）

[15a-PA01-40] Ar/O₂キャリアガスを用いた窒化物半導体上へのMoS₂のCVD成長

〇河瀬 流星¹、流石 新生¹、Rong Kaipeng¹、Kuddus Abdul²、三宅 秀人³、荒木 努¹、毛利 真一郎¹ (1.立命館大理工、2.立命館大R-GIRO、3.三重大工)

キーワード：原子層材料、遷移金属ダイカルコゲナイド、窒化物半導体

MoS₂は、原子数層で構成される半導体として次世代の電子デバイス分野への応用に大きな可能性を持っている。中でも、広帯域な受光素子の作製や電界効果トランジスタの高移動度化が可能であるなどの利点から、GaNやAlNなどの窒化物半導体上にMoS₂を直接合成できれば有意義である。本講演は、Ar/O₂をキャリアガスとして用いた方法で、窒化物半導体上にCVD法により成長をした結果を報告する。