[15p-A205-1~12] Recent progresses of device applications of low-dimensional materials

[15p-A205-11] Gate voltage dependence of temperature coefficient of resistance in carbon nanotube networks

〇Noriyuki Tonouchi^1,2, Norika Fukuda¹, Takashi Miyazaki^1,2, Taizo Shibuya^1,2, Tomo Tanaka^1,2, Ryouta Yuge^1,2 (1.NEC, 2.AIST)

Keywords:carbon nanotube

我々は、CNTネットワークの大きな抵抗温度係数(TCR)に着目し、非冷却型赤外ボロメータへの応用を目指している。ボロメータの検出能は抵抗体のTCRに線形に依存するため、感度向上には抵抗体の高TCR化が重要といえる。今回、高TCR化への指針を得ることを目的に、半導体のTCRがキャリア密度に依存することに着目し、TFT構造でゲート電圧によりCNTネットワークのキャリア密度を制御した状態でTCRの評価を行った。講演では、実験結果,及びメカニズム把握のために行ったシミュレーションの詳細を報告する予定である。