[15p-A205-1~12] 低次元材料のデバイス応用の最新動向

[15p-A205-11] CNTネットワークの抵抗温度係数ゲート電圧依存性

〇殿内 規之^1,2、福田 紀香¹、宮崎 孝^1,2、澁谷 泰蔵^1,2、田中 朋^1,2、弓削 亮太^1,2 (1.日本電気、2.産総研)

キーワード：カーボンナノチューブ

我々は、CNTネットワークの大きな抵抗温度係数(TCR)に着目し、非冷却型赤外ボロメータへの応用を目指している。ボロメータの検出能は抵抗体のTCRに線形に依存するため、感度向上には抵抗体の高TCR化が重要といえる。今回、高TCR化への指針を得ることを目的に、半導体のTCRがキャリア密度に依存することに着目し、TFT構造でゲート電圧によりCNTネットワークのキャリア密度を制御した状態でTCRの評価を行った。講演では、実験結果,及びメカニズム把握のために行ったシミュレーションの詳細を報告する予定である。