2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[15p-A301-1~13] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2023年3月15日(水) 13:00 〜 16:45 A301 (6号館)

三谷 武志(産総研)、浅水 啓州(ローム)

13:45 〜 14:00

[15p-A301-4] SiC溶液成長におけるマクロステップ高さがインクルージョン形成に及ぼす影響

深見 勇馬1、周 惠琴1、竹本 玖生1、黨 一帆1、原田 俊太1、田川 美穂1、宇治原 徹1 (1.名大院工)

キーワード:SiC、結晶成長、インクルージョン

SiC 溶液成長法においてはマクロステップの進展により、貫通転位が基底面方向の転位に変換し、成長とともに基底面に沿って転位は結晶外へと掃き出される。一方で、マクロステップが過剰に発展すると、ステップ形状が不安定化し溶媒が結晶中に取り込まれる(インクルージョン)。本研究では、ステップ高さがインクルージョンの形成に及ぼす影響を調べた。