[15p-A301-1~13] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15p-A301-4] Effect of macrostep height on formation of solvent inclusion in SiC solution growth

〇Yuma Fukami¹, Zhou Huiqin¹, Takemoto Hisaki¹, Dang Yifan¹, Harada Shunta¹, Tagawa Miho¹, Ujihara Toru¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:SiC, crystal growth, solvent inclusion

SiC 溶液成長法においてはマクロステップの進展により、貫通転位が基底面方向の転位に変換し、成長とともに基底面に沿って転位は結晶外へと掃き出される。一方で、マクロステップが過剰に発展すると、ステップ形状が不安定化し溶媒が結晶中に取り込まれる（インクルージョン）。本研究では、ステップ高さがインクルージョンの形成に及ぼす影響を調べた。