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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A301-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2023年3月15日(水) 13:00 〜 16:45 A301 (6号館)

三谷武志(産総研)、浅水啓州(ローム)

15:15 〜 15:30

△ [15p-A301-8] トランジスタ構造を用いて導出した4H-SiCの真性キャリア密度

〇浅田聡志¹、村田晃一¹、土田秀一¹ (1.電中研)

キーワード：炭化ケイ素、真性キャリア密度