[15p-A301-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A301-9] レーザードーピング時におけるSiC基板の四探針抵抗測定に関する考察

〇妹川 要¹、納富 良一¹、宇佐見 康継¹、保原 麗²、長谷川 修司² (1.ギガフォトン（株）、2.東京大学)

キーワード：レーザードーピング、炭化珪素、四探針抵抗測定

一般的な半導体であるSi、Ge、GaAsの四探針測定は正確な結果が得られ幅広く利用されている。しかしWide bandgap半導体のSiCの場合はSchottky barrierが高く、表面に絶縁層を形成するため四探針測定にはあまり使われていない。今回我々はレーザードーピングにより固溶限界を超えた高濃度窒素ドープｎ型層を形成し、その表面のシート抵抗について市販の四探針抵抗測定装置、及びマイクロ４端子プローブ装置にて調査したので報告する。