[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [15p-A404-1] 様々な基板上におけるY:HfO₂エピタキシャル膜の合成と評価

〇(M1)前川 芳輝¹、平井 浩司¹、安岡 慎之介¹、岡本 一輝¹、清水 荘雄²、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.物質・材料研究機構)

キーワード：強誘電体、PLD法、HfO2

2011年に強誘電性が報告されたHfO₂基強誘電体は従来と違い、多結晶で10 nm以下の極薄膜で安定した強誘電性を示す。そのためメモリ応用に向けて幅広く研究されている。そこでHfO₂基強誘電体の基礎物性の理解のためには結晶方向が揃ったエピタキシャル薄膜の研究が必要である。本研究では、HfO₂基強誘電体のエピタキシャル膜を作製できる結晶構造および材料の選択肢を拡張するためにHfO₂基エピタキシャル膜の合成を試みたので報告する。