[15p-A408-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

[15p-A408-12] C₂H₂, N₂, Ar混合気体のRFプラズマCVDを用いた高窒素含有水素化アモルファス窒化炭素薄膜の合成

〇伊藤 治彦¹、綿貫 了太¹、鈴木 常生¹、斎藤 秀俊¹ (1.長岡技科大（工）)

キーワード：アモルファス窒化炭素

C₂H₂, N₂, Arの混合気体の高周波プラズマCVDにより、水素化されたアモルファス窒化炭素薄膜を合成した。特にC₂H₂の分圧を低く抑制することにより、[N]/([N]+[C])比の最大値が膜表面で0.38、膜内部で0.42の高窒素含有率を達成した。これらの値は前回の応用物理学会で発表したC₂H₂/N₂混合気体のマイクロ波プCVDCVDで作成した膜の値に比べて低かったが、膜内部で[N]/([N]+[C])比が高くなる傾向は変わらなかった。