[15p-A409-1~11] 6.3 Oxide electronics

△ [15p-A409-11] Electronic structure at SrNbO₃/SrTiO₃ interfaces studied by photoemission spectroscopy

〇(B)Ryotaro Hayasaka¹, Tatsuhiko Kanda^1,2, Naoto Hasegawa¹, Yuuki Masutake¹, Asato Wada¹, Wongwutcharanukoun Nathawuth¹, Miho Kitamura², Daisuke Shiga^1,2, Kohei Yoshimatsu¹, Hiroshi Kumigashira^1,2 (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.IMSS, KEK)

Keywords:epitaxial thin film, resonant photoemission spectroscopy

SrNbO₃（SNO）は、透明電極材料の候補として注目されている。また、近年、SrTiO₃（STO）基板上に作製したSNO薄膜において残留抵抗比が10³を超える伝導特性が見出されているが、その起源については未だ議論が続いている。本研究では、SNO/STO (100)エピタキシャル薄膜を作製し、Ti 2p–3d共鳴光電子分光を用いてSTO側のフェルミ準位近傍の界面電子状態の直接観測を行なった。