The 70th JSAP Spring Meeting 2023

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[15p-B401-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

Wed. Mar 15, 2023 1:00 PM - 6:00 PM B401 (Building No. 2)

Mitsuru Funato(Kyoto Univ.), Hiroto Sekiguchi(Toyohashi Univ. of Tech.), Daisuke Iida(KAUST)

3:45 PM - 4:00 PM

[15p-B401-11] Fabrication technology of hollowed-structured MicroLED for transfer method

Taiki Kitade1, Ryota Kanda1, Atsushi Nishikawa2, Alexander Loesing2, Hiroto Sekiguchi1 (1.Toyohashi Tech, 2.ALLOS)

Keywords:MicroLED, transfer method, hollowed-structured

我々はLEDの中空構造形成と熱剥離シートを用いた一括転写技術を確立することで,80µm角のLEDを1mm角に数十個集積した生体利用可能なLEDフィルムを実現した。神経細胞をより選択的に光刺激するために,5~20µmのサイズをもつ神経細胞と同じサイズのLEDの集積化が求められる。本研究では,LEDの中空構造の微細化に取り組み、KOH溶液温度を正確に制御することで再現性よく40µm角~100µm角のマイクロLEDの中空構造を形成できた。