[15p-B401-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [15p-B401-14] In-situ reflectivity measurements of AlInN/GaN DBRs

〇Kenta Kobayashi¹, Tsuyoshi Nagasawa¹, Kana Shibata¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:VCSEL, DBR

赤色 VCSEL では、その場反射率スペクトル測定による DBR および共振器の膜厚制御が報告されている。一方、GaN 系 VCSEL では上記測定による共振器膜厚制御の報告はあるものの、 AlInN/GaN DBR に関する報告はない。この DBR では成長中断を用いた成長温度変化が存在するため、それを考慮した解析が必要と考えられる。今回、精密な膜厚制御実現に向けて、AlInN/GaN DBR 成長時におけるその場反射率変化の初期検討を行った。