[15p-B401-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [15p-B401-16] A novel fabrication technique of 100 μm cavity GaN-based edge emitting laser diodes using epitaxial lateral overgrowth on Si substrate

〇Motohisa Usagawa¹, Yoshinobu Kawaguchi¹, Kentaro Murakawa¹, Akiko Komoda¹, Yuuta Aoki¹, Takeshi Yokoyama¹, Mizuki Tonomura¹, Kazuma Takeuchi¹, Takeshi Kamikawa¹ (1.Kyocera)

Keywords:laser diode, epitaxial lateral overgrowth, gallium nitride

光ピックアップ、ディスプレイ、照明等に広く実用化されているGaN系半導体レーザー(LD)は、信頼性の観点から低転位密度のGaN結晶が容易に得られるGaN基板が使用されている。一方でSiフォトニクスとの融合やコスト削減を目的として、Si基板上LDの報告もあるが、GaN基板と同等の転位密度は実現されていない。今回、Si基板上のGaN系LDの実用化を目指して、独自の選択横方向成長 (ELO)技術をコアとして、新しい端面発光LDの作製技術を開発した。