[15p-B401-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15p-B401-16] Si基板上ELO-GaNを用いた100 μm共振器GaN系端面発光LDの新規作製技術

〇宇佐川 元久¹、川口 佳伸¹、村川 賢太郎¹、古茂田 晶子¹、青木 優太¹、横山 毅¹、外村 瑞基¹、武内 一真¹、神川 剛¹ (1.京セラ)

キーワード：半導体レーザー、選択横方向成長、GaN

光ピックアップ、ディスプレイ、照明等に広く実用化されているGaN系半導体レーザー(LD)は、信頼性の観点から低転位密度のGaN結晶が容易に得られるGaN基板が使用されている。一方でSiフォトニクスとの融合やコスト削減を目的として、Si基板上LDの報告もあるが、GaN基板と同等の転位密度は実現されていない。今回、Si基板上のGaN系LDの実用化を目指して、独自の選択横方向成長 (ELO)技術をコアとして、新しい端面発光LDの作製技術を開発した。