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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-B410-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2023年3月15日(水) 13:00 〜 17:30 B410 (2号館)

曽根正人(東工大)、居村史人(Hundred Semiconductors)

15:30 〜 15:45

△ [15p-B410-9] 【注目講演】加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子レベルリアルタイム観察

〇手面学¹、浅野孝典¹、高石理一郎¹、富田充裕¹、齋藤真澄¹、田中洋毅¹ (1.キオクシア(株)メモリ技術研究所)

キーワード：固相結晶化、原子構造ダイナミクス、欠陥形成