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[15p-D209-7] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] Graphene/h-BN構造を用いた転写フリー平面型電子源の開発
キーワード:電子源、六方晶窒化ホウ素(h-BN)、グラフェン
Graphene/h-BN/n-Si積層平面型電子源は,金属冷陰極を凌ぐエネルギー半値幅0.18 eVの高単色性電子ビームを放出可能である.本研究では,h-BNのSi基板上直接成膜技術とGraphene/h-BN構造を用いた転写フリーの平面型電子源の開発を行った.成膜したh-BNは,ラマンスペクトル・光透過スペクトルにより評価し,Cu触媒上BNと同等レベルの光学特性を示した.転写フリーで作製したGraphene/h-BN/n-Si電子源は,シワやクラックのない滑らかな電子放出面を有し,3mA/cm2の大電流密度の電子放出を達成した.