2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[15p-D209-1~12] 7.2 電子ビーム応用

2023年3月15日(水) 13:30 〜 16:45 D209 (11号館)

村上 勝久(産総研)、石田 高史(名大)

15:15 〜 15:30

[15p-D209-7] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] Graphene/h-BN構造を用いた転写フリー平面型電子源の開発

山本 将也1,2、村田 博雅2、長尾 昌善2、三村 秀典1、根尾 陽一郎1、村上 勝久2 (1.静大電研、2.産総研)

キーワード:電子源、六方晶窒化ホウ素(h-BN)、グラフェン

Graphene/h-BN/n-Si積層平面型電子源は,金属冷陰極を凌ぐエネルギー半値幅0.18 eVの高単色性電子ビームを放出可能である.本研究では,h-BNのSi基板上直接成膜技術とGraphene/h-BN構造を用いた転写フリーの平面型電子源の開発を行った.成膜したh-BNは,ラマンスペクトル・光透過スペクトルにより評価し,Cu触媒上BNと同等レベルの光学特性を示した.転写フリーで作製したGraphene/h-BN/n-Si電子源は,シワやクラックのない滑らかな電子放出面を有し,3mA/cm2の大電流密度の電子放出を達成した.