[15p-D209-1~12] 7.2 電子ビーム応用

[15p-D209-7] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] Graphene/h-BN構造を用いた転写フリー平面型電子源の開発

〇山本 将也^1,2、村田 博雅²、長尾 昌善²、三村 秀典¹、根尾 陽一郎¹、村上 勝久² (1.静大電研、2.産総研)

キーワード：電子源、六方晶窒化ホウ素(h-BN)、グラフェン

Graphene/h-BN/n-Si積層平面型電子源は，金属冷陰極を凌ぐエネルギー半値幅0.18 eVの高単色性電子ビームを放出可能である．本研究では，h-BNのSi基板上直接成膜技術とGraphene/h-BN構造を用いた転写フリーの平面型電子源の開発を行った．成膜したh-BNは，ラマンスペクトル・光透過スペクトルにより評価し，Cu触媒上BNと同等レベルの光学特性を示した．転写フリーで作製したGraphene/h-BN/n-Si電子源は，シワやクラックのない滑らかな電子放出面を有し，3mA/cm²の大電流密度の電子放出を達成した．