[15p-D209-1~12] 7.2 電子ビーム応用

[15p-D209-9] 反応性スパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の加熱による仕事関数低下量の評価

〇大住 知暉^1,2、長尾 昌善²、後藤 康仁¹ (1.京大院工、2.産総研)

キーワード：窒化ハフニウム、仕事関数、反応性スパッタリング

反応性スパッタ法により全流量(窒素とアルゴン)に対する窒素の流量比を制御しハフニウム(Hf)薄膜、窒化ハフニウム(HfN)薄膜を成膜した。Hf, HfN薄膜の接触電位差(CPD)を真空中でケルビン法により測定した。250℃までの試料加熱を行い, 加熱前後のCPDを測定した。試料加熱によりHfN薄膜のCPDは0.6 V程度低下した。一方で, Hf薄膜は0.4 V程度低下した。