[15p-D419-1~8] 15.1 バルク結晶成長

[15p-D419-6] NOC法で成長した無転位Si単結晶中の結晶欠陥分布とCOPの極低密度化

〇中嶋 一雄¹、中西 正美²、Su Martin²、Hsu Chuck² (1.東北大金研、2.グローバルウェハー)

キーワード：Si バルク結晶成長、COP密度、NOC成長法

NOC成長法は、Siメルト中に低温領域を、ルツボ底に配置した断熱板を用いて設定する。この成長法では、空孔濃度(C_V ) と格子間Si原子濃度 (C_I )の曲線の交点(CP) が、結晶欠陥を低減する重要因子となる。成長した無転位Siインゴット単結晶で、低C_V (at CP)から期待できるCOPの低減効果を調査した。NOC結晶ではRing-OISF の内部において、0.12 μmサイズ以上のCOPは観察できなかった。