5:45 PM - 6:00 PM
△ [15p-E102-16] Identification of Killer Defects of (011) HVPE-grown β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes by High-Sensitive Emission Microscope and X-ray Topography
Keywords:leak current, killer defect, schottky barrier diode
β型酸化ガリウムは,4.5-4.8 eVの非常に大きなバンドギャップを持つ半導体で,次世代の低損失パワーデバイスの実現が期待されている.しかし,デバイスの耐圧特性を劣化させるキラー欠陥の低減が課題である.本研究では,(011)面にショットキーバリアダイオードを作製し,エミッション顕微鏡とシンクロトロンX線トポグラフィを用いキラー欠陥を調べた.結果,(011)面でのキラー欠陥は多結晶欠陥であった.