The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15p-E102-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Wed. Mar 15, 2023 1:30 PM - 6:15 PM E102 (Building No. 12)

Mamoru Furuta(Kochi Univ. of Tech.), Keisuke Ide(Tokyo Tech), Ken Goto(Tokyo Univ. Agri. and Tech.)

2:00 PM - 2:15 PM

[15p-E102-3] Bulk single crystal growth and its transport properties of In2O3(ZnO)3

〇Yuto Uruma1, Tadahito Inoue1, Naoki Kase1, Nobuaki Miyakawa1 (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:IZO, transparent conductive oxide, Optical floating zone method

本研究では(In2O3)m(ZnO)n (m, nは自然数、以下IZO-mnと示す)で表される物質の1つであるIZO-13の加圧式Optical Floating Zone法によるバルク単結晶の育成方法の確立を目指した。またIZO-1nは同じ構造を持つ(InGaO3)1(ZnO)nと比較して優位な電気的特性を見出せるため、得られた単結晶の電気輸送特性をIGZO-13と比較してその起源を追求することを目的とした。