[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15p-E102-4] 高背圧下でのPLDによる高移動度In₂O₃薄膜作製

〇曲 勇作¹、ゲディア プラシャント¹、楊 卉^1,2、張 雨橋³、松尾 保孝¹、太田 裕道¹ (1.北大電子研、2.北京交通大、3.江蘇大)

キーワード：酸化物半導体、酸化インジウム、薄膜トランジスタ

昨年、我々は多結晶Si薄膜トランジスタ(TFT)に匹敵する電界効果移動度（µFE > 100 cm2 V−1 s−1）を示す多結晶In2O3-TFTを実現した。スパッタリング時に、水素をIn2O3薄膜中に導入することで、低温における結晶化を阻害し、約200 °Cで異常粒成長させることでIn2O3結晶粒径を著しく増大させ、同時に酸素欠損由来のキャリア濃度を非縮退状態まで低減化することに成功した。しかし、H2ガスを成膜チャンバーに流すのは応用上適したプロセスとは言えない。本研究では、空気中の水分を導入するために背圧を高くした状態でIn2O3を成膜することで、H2ガスを流すことなくIn2O3薄膜中に水素導入することを試みた。