[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15p-E102-7] スパッタリングにより作製したIn₅GaZnO₁₀薄膜トランジスタの特性評価

〇中野渡 俊喜¹、渡邉 悠太¹、服部 吉晃¹、北村 雅季¹ (1.神戸大院工)

キーワード：InGaZnO、In5GaZnO10、酸化物薄膜トランジスタ

近年，アモルファスシリコン(a-Si)やポリシリコン(poly Si)に代わる薄膜トランジスタ(TFT)の半導体材料としてInGaZnOが注目されており，InGaZnO TFTにおいて更なる移動度向上が求められている．そこで，本研究では，スパッタリングにより製膜したIn₅GaZnO₁₀をチャネル層とするTFTを作製し，その特性を調べた．特に大気中での保存の影響を調べたのでそれについて報告する．