15:00 〜 15:15 [15p-E102-7] スパッタリングにより作製したIn5GaZnO10薄膜トランジスタの特性評価 〇中野渡 俊喜1、渡邉 悠太1、服部 吉晃1、北村 雅季1 (1.神戸大院工)