[15p-E102-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15p-E102-9] Investigation of amorphous-InGaZnO sheet resistance reduction technique using a hot ion-implantation method

〇Yuya Yamane¹, Keisuke Yasuta¹, Toshimasa Ui¹, Junichi Tatemichi¹ (1.Nissin Ion Equipment)

Keywords:display, IGZO, ion implantation

アモルファスInGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタはイオン注入を用いたソースおよびドレイン領域の抵抗値低減により高性能化・高集積化が可能だが、シート抵抗低減およびプロセスウィンドウ拡大の観点において改善の余地が大きい。本研究では、300 ℃下でa-IGZO薄膜にホウ素イオンを注入する加熱イオン注入法を用い、a-IGZO薄膜のさらなるシート抵抗値低減及びプロセスウィンドウ拡大を実現した。