[15p-E102-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15p-E102-9] 加熱イオン注入法によるアモルファスInGaZnO薄膜のシート抵抗値低減の検討

〇山根 裕也¹、安田 圭佑¹、宇井 利昌¹、立道 潤一¹ (1.日新イオン機器)

キーワード：ディスプレイ、IGZO、イオン注入

アモルファスInGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタはイオン注入を用いたソースおよびドレイン領域の抵抗値低減により高性能化・高集積化が可能だが、シート抵抗低減およびプロセスウィンドウ拡大の観点において改善の余地が大きい。本研究では、300 ℃下でa-IGZO薄膜にホウ素イオンを注入する加熱イオン注入法を用い、a-IGZO薄膜のさらなるシート抵抗値低減及びプロセスウィンドウ拡大を実現した。