[15p-E502-1~8] 化合物薄膜太陽電池の研究開発動向

[15p-E502-1] 光の共鳴吸収を可能にするnmスケールのn型ドーパント領域
その形成用イオン注入後のアニール方法

〇城之下 勇¹ (1.個人参加)

キーワード：光発電、イオン注入、アニール

nm スケールのドーパントリッチな領域を内包する太陽電池は、量子ドットタイプの化合物太陽電池の一つとも言える。 その領域の形成にPイオンを注入する方法が考えられているが、イオン注入後、通常のアニールでは P が拡散し、その分布は保持できない。 本発表においては、 この領域形成のためのイオン注入の特性、Pの移動へのPIペア（PとSi結晶間原子の結合物）の役割等を勘案し、 P の分布を崩さないアニール方法について検討する。