[15p-PA01-1~58] 10 Spintronics and Magnetics (Poster)

[15p-PA01-3] Electronic states of Fe-LiF-MgO magnet ic tunnel junction device based on the first-principles calculations

〇Takuya Sekikawa¹, Kazuki Takada¹, Yoshiaki Ono² (1.Graduate School of Science & Technology Niigata Univ., 2.Department of Physics , Niigata Univ.)

Keywords:magnetic storage, First principles calculation, Fe-LiF-MgO

野崎らは、フッ化リチウム(LiF)と酸化マグネシウム(MgO)を組み合わせたトンネル障壁層を用
いた新構造の磁気トンネル接合素子を開発し、磁気メモリーで重要となる垂直磁気異方性の改善に成功した。実験的に鉄(Fe)とMgOの間にわずか1~2 原子層の非常に薄い LiF を導入することで、 Feの磁化の向きが膜面垂直方向に安定化することを見出した。
そこで本研究では、第一原理計算ソフトウェアOpenMXを用いてFe-MgO、Fe-LiF-MgO の界面のうちFe 層の スピン状態を計算し LiF層の寄与による垂直磁気異方性の安定化の起源を当日議論する 。