[15p-PA01-1~58] 10 Spintronics and Magnetics (Poster)

[15p-PA01-6] Numerical analysis of write-error rate of voltage-controlled magnetization switching in magnetic-topological-insulator-based devices

〇Takashi Komine¹, Shimon Watahiki¹, Takahiro Chiba² (1.Ibaraki Univ., 2.Fukushima NIT)

Keywords:magnetic-topological-insulator-based devices, voltage-controlled magnetic anisotropy, spin-orbit torque

FET型磁性トポロジカル絶縁体(MTI)素子における電圧制御磁化反転のマイクロマグネティックシミュレーションを行い，書き込みエラー率(WER)を解析した．本素子はMTI接合界面におけるスピン軌道トルク，及び，電圧制御磁気異方性効果により磁化制御が可能である．ゲートパルス形状や雑音がWER に及ぼす影響を解析したところ，本素子が電気ノイズに対して堅牢，かつ，非常に低いWERを示すことが明らかとなった．