[15p-PA04-1~3] 13.3 Insulator technology

[15p-PA04-1] Charge trapping characteristics of manganese-doped and vanadium-dope silicon nitride films

〇Daiki Morohoshi¹, Akari Matsumoto¹, Yuta Nishigaki¹, Tomoya Satonaka², Yuto Ito², Yuki Arakawa², Takumi Abe², Kiyoteru Kobayashi^1,2 (1.Tokai Univ. Grad. Sch. Eng., 2.Tokai Univ. Sch. Eng.)

Keywords:nonvolatile memory, silicon nitride, defect state

β-Si₃N₄結晶にバナジウムとマンガンをドープした構造について第一原理計算を行ったところ、禁制帯にエネルギーの異なる複数の欠陥準位が現れるという結果を得た。この結果に基づいて、シリコン窒化膜にバナジウムとマンガンをドープしたMONOS型メモリ素子を作製し、その諸特性を調べた。その結果、シリコン窒化膜にドープしたバナジウムは、マンガンと比べて、メモリ特性を大きく変化させることが分かった。