4:00 PM - 6:00 PM
[15p-PA04-1] Charge trapping characteristics of manganese-doped and vanadium-dope silicon nitride films
Keywords:nonvolatile memory, silicon nitride, defect state
β-Si3N4結晶にバナジウムとマンガンをドープした構造について第一原理計算を行ったところ、禁制帯にエネルギーの異なる複数の欠陥準位が現れるという結果を得た。この結果に基づいて、シリコン窒化膜にバナジウムとマンガンをドープしたMONOS型メモリ素子を作製し、その諸特性を調べた。その結果、シリコン窒化膜にドープしたバナジウムは、マンガンと比べて、メモリ特性を大きく変化させることが分かった。