[15p-PA05-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15p-PA05-2] InSb/Ga_0.22In_0.78Sb複合チャネルHEMT構造の電気的特性

〇(B)神内 智揮¹、羽鳥 小春¹、海老原 怜央¹、尾曽 雅宗¹、河野 亮介¹、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工)

キーワード：HEMT