[15p-PA05-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15p-PA05-3] ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性

〇尾曽 雅宗¹、羽鳥 小春¹、怜央 海老原¹、神内 智揮¹、河野 亮介¹、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工)

キーワード：ダブルTe ドープ