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[15p-PA05-4] High-Density InAs Quantum Nanowires on Si(111) Substrates by MBE
Keywords:quantum nanowires, MBE, indium arsenide
半導体ナノワイヤ(NW)は、エネルギー変換デバイスやセンサ、メモリなどの光電子デバイスへの応用が期待されている。デバイス応用では、NWのサイズ制御、高密度化、縦型ヘテロ構造、コアシェル構造などの作製技術の開発が重要である。本研究では、Si(111)基板上へのInAs NWのMBE成長において、高密度(1-2×1010 cm-2)のInAs NW構造の作製手法を開発した。さらに、量子サイズ効果を有する高密度のInAs量子NW(QNW)構造の形成とその発光特性についても報告する。