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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-A205-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2023年3月16日(木) 09:30 〜 11:45 A205 (6号館)

荒井昌和(宮崎大)、富永依里子(広島大)

10:45 〜 11:00

[16a-A205-5] AlGaAs横方向閉じ込め層によるInAs/GaAs量子ドットレーザ閾値電流の温度安定性向上

〇角田雅弘¹、Morais Natalia¹、權晋寛¹、荒川泰彦¹ (1.東大ナノ量子)

キーワード：分子線エピタキシー