[16a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16a-A301-4] ステップを持つSiC MOS界面におけるNO窒化処理の移動度改善効果の解析

〇舩木 七星斗¹、横田 知真¹、植本 光治¹、細井 卓治²、小野 倫也¹ (1.神戸大工、2.関西学院大工)

キーワード：半導体

SiC/SiO2界面の移動度がバルク中の移動度に比べて著しく低く、NOアニールによって可動キャリアが増えてもMOSとしての移動度は期待されるほど上がらない。第一原理計算を用いてSiC/SiO2ステップ界面における窒化前後の電子状態の変化を調べたところ、窒化前の界面では上側テラスとSiO2の結合状態によって現れなかった伝導帯端準位が、窒化後は出現した。これは窒化により界面の電子状態が整えられ、可動キャリアが増えることを示唆する。