[16a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

▼ [16a-A301-7] Subthreshold characteristics of 4H-SiC n- and p-channel MOSFETs at low temperature

〇Xilun Chi¹、Keita Tachiki¹、Kyota Mikami¹、Mitsuaki Kaneko¹、Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

キーワード：MOS, SiC